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功能描述：射频MOSFET小信号晶体管
RoHS：否
制造商：NXP Semiconductors
配置：Dual Dual Gate
晶体管极性：N-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）：
汲极/源极击穿电压：6 V
闸/源击穿电压：6 V
漏极连续电流：30 mA
功率耗散：180 mW
最大工作温度：+ 150 C
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：SC-88
封装：Reel